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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | FPACK |
| 包装说明： | QFF, QFL68,.95SQ | 针数： | 68 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.62 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 45 ns |
| 其他特性： | INTERRUPT FLAG; ARBITER; SEMAPHORE | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-XQFP-F68 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 24.0792 mm | 内存密度： | 131072 bit |
| 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 68 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 16KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | QFF |
| 封装等效代码： | QFL68,.95SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度： | 3.683 mm | 最大待机电流： | 0.004 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.34 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | FLAT | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 宽度： | 24.0792 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-9150806MYX | IDT | Multi-Port SRAM, 16KX8, 45ns, CMOS, QFP-68 |
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| 5962-9150807MXA | ETC | x8 Dual-Port SRAM |
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| 5962-9150807MYA | ETC | x8 Dual-Port SRAM |
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| 5962-9150808MXA | ETC | x8 Dual-Port SRAM |
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| 5962-9150808MYA | ETC | x8 Dual-Port SRAM |
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| 5962-9150809MXA | ETC | x8 Dual-Port SRAM |
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