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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP48,.6 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.31 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-GDIP-T48 |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP48,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 最大待机电流： | 0.015 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.17 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 5962-9062006MZX | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
|
| 5962-9062007MXA | CYPRESS |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52 |
|
| 5962-9062007MXX | CYPRESS |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52 |
|
| 5962-9062008MXX | CYPRESS |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52 |
|
| 5962-9062009MXA | CYPRESS |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52 |
|
| 5962-9062009MXX | CYPRESS |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52 |
|
| 5962-9062010MXX | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
|
| 5962-9062011MXA | WEDC |
获取价格 |
IC 2K X 8 MULTI-PORT SRAM, 45 ns, CQCC, CERAMIC, LCC-52, Static RAM |
|
| 5962-9062011MXX | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
|
| 5962-9062012MXX | CYPRESS |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52 |
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