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5962-8993503YX

更新时间: 2024-02-15 22:27:53
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
15页 500K
描述
x4 SRAM

5962-8993503YX 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:QLCC
包装说明:QCCN,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:25 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码:R-CQCC-N28JESD-609代码:e0
长度:13.97 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端子数量:28
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:64KX4
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.905 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD宽度:8.89 mm

5962-8993503YX 数据手册

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