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5962-8971204ZA

更新时间： 2024-02-18 01:34:36

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	252K
描述
Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28

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5962-8971204ZA 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	QCCN, LCC28,.35X.55
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	20 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-CQCC-N28	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	16KX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC28,.35X.55
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	1.905 mm	最大待机电流：	0.025 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.175 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	8.89 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5962-8971301M9X	ETC	Field Programmable Gate Array (FPGA)	获取价格
5962-8971301MMC	XILINX	Field Programmable Gate Array, 50MHz, 144-Cell, CMOS, CQFP100, TOP BRAZED, CERAMIC, QFP-10	获取价格
5962-8971301MMX	ETC	Field Programmable Gate Array (FPGA)	获取价格
5962-8971301MNX	ETC	Field Programmable Gate Array (FPGA)	获取价格
5962-8971301MXC	XILINX	Field Programmable Gate Array, 144 CLBs, 4200 Gates, 50MHz, 144-Cell, CMOS, CPGA84, CERAMI	获取价格
5962-8971301MXX	ETC	Field Programmable Gate Array (FPGA)	获取价格