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5962-8961403QXX

更新时间： 2024-02-03 09:04:02
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 131K
描述
IC 128K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32, Programmable ROM

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5962-8961403QXX 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：WDIP,针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.61风险等级：5.31
最长访问时间：200 nsJESD-30 代码：R-CDIP-T32
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：UVPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：128KX8封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：WDIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE, WINDOW并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified筛选级别：MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度：7.493 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
宽度：15.24 mm

5962-8961403QXX 数据手册

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UVEPROM  
SMJ27C010A  
Austin Semiconductor, Inc.  
1 MEG UVEPROM  
PIN ASSIGNMENT  
(Top View)  
UV Erasable Programmable  
Read-Only Memory  
32-Pin DIP (J)  
(600 MIL)  
AVAILABLE AS MILITARY  
VPP  
A16  
A15  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
1
2
3
4
5
6
7
8
Vcc  
PGM\  
NC  
A14  
A13  
A8  
A9  
A11  
G\  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
SPECIFICATIONS  
• SMD 5962-89614  
• MIL-STD-883  
FEATURES  
• Organized 131,072 x 8  
• Single +5V ±10% power supply  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A10  
22 E\  
21 DQ7  
A0  
20  
19  
18  
17  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
GND  
• Operationally compatible with existing megabit EPROMs  
• Industry standard 32-pin ceramic dual-in-line package  
• All inputs/outputs fully TTL compatible  
• 8-bit output for use in microprocessor-based systems  
• Very high-speed SNAP! Pulse Programming  
• Power-saving CMOS technology  
• 3-state output buffers  
• 400mV minimum DC noise immunity with standard  
TTL loads  
• Latchup immunity of 250 mA on all input and output pins  
• No pullup resistors required  
• Low power dissipation (Vcc = 5.5V)  
PActive - 165 mW Worst Case  
Pin Name  
A0 - A18 Address Inputs  
DA0-DQ7 Inputs (programming)/Outputs  
Function  
E\  
G\  
GND  
PGM\  
Chip Enable  
Output Enable  
Ground  
Program  
VCC  
VPP  
5V Supply  
13V Power Supply*  
*Only in program mode.  
PStandby - 0.55 mW Worst Case (CMOS-input levels)  
GENERAL DESCRIPTION  
The SMJ27C010A series are 131072 by 8-bit (1048576-  
bit), ultaviolet (UV) light erasable, electrically programmable  
read-only memories (EPROMs).  
OPTIONS  
• Timing  
MARKING  
These devices are fabricated using power-saving CMOS  
technology for high speed and simple interface with MOS and  
bipolar circuits. All inputs (including program data inputs)  
can be driven by Series 54 TTL circuits without the use of  
external pullup resistors. Each output can drive one Series 54  
TTL circuit without external resistors.  
120ns access  
150ns access  
200ns access  
-12  
-15  
-20  
• Package(s)  
Ceramic DIP (600mils)  
J
No. 114  
The SMJ27C010A EPROM is offered in a ceramic  
dual-in-line package (J suffix) designed for insertion in  
mounting-hole rows on 15.2mm (600mil) centers.  
These EPROMs operate from a single 5V supply (in the  
read mode), and therefore, are ideal for use in  
microprocessor-based systems. One other 13V supply is  
needed for programming. All programming signals are TTL  
level. These devices are programmable using the SNAP! Pulse  
programming algorithm. The SNAP! Pulse programming  
algorithm uses a VPP of 13V and a VCC of 6.5V for a nominal  
programming time of thirteen seconds. For programming  
outside the system, existing EPROM programmers can be  
used. Locations can be programmed singly, in blocks, or at  
• Operating Temperature Ranges  
Military (-55oC to +125oC)  
M
For more products and information  
please visit our web site at  
www.austinsemiconductor.com  
random.  
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
SMJ27C010A  
Rev. 1.0 9/01  
1
1234567...11

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