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5962-8959837MNA

更新时间： 2024-02-10 00:36:59

品牌	Logo	应用领域
逻辑 - LOGIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	684K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.700 INCH, CERAMIC, LCC-32

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5962-8959837MNA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCN, LCC32,.45X.7	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.45
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	25 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CQCC-N32	JESD-609代码：	e0
长度：	17.78 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC32,.45X.7	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
座面最大高度：	2.54 mm	最大待机电流：	0.01 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.14 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5962-8959837MNC	ETC	x8 SRAM	获取价格
5962-8959837MNX	WEDC	Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, 0.450 X 0.700 INCH, CERAMIC, LCC-32	获取价格
5962-8959837MTA	ETC	x8 SRAM	获取价格
5962-8959837MTC	ETC	x8 SRAM	获取价格
5962-8959837MTX	ETC	x8 SRAM	获取价格
5962-8959837MUA	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32	获取价格