生命周期: | End Of Life | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, SOJ32,.44 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.37 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 20 ns |
其他特性: | TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS, 2V DATA RETENTION, BATTERY BACKUP, LOW POWER STANDBY | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CDSO-J32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20.828 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ32,.44 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 3.6576 mm | 最大待机电流: | 0.001 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.14 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 10.414 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-8959821M7C | WEDC | IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, CDSO, CERAMIC, SOJ-32, Static RAM |
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5962-8959821MMA | CYPRESS | Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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5962-8959821MMC | MICROSS | Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32 |
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5962-8959821MMX | CYPRESS | Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, LCC-32 |
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5962-8959821MTA | ETC | x8 SRAM |
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5962-8959821MTC | MICROSS | Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CDFP32, CERAMIC, FP-32 |
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