是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DFP, FL28,.4 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 30 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 25 MHz | 周期时间: | 40 ns |
JESD-30 代码: | R-XDFP-F28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.288 mm | 内存密度: | 36864 bit |
内存集成电路类型: | OTHER FIFO | 内存宽度: | 9 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 4096 words | 字数代码: | 4000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 4KX9 |
可输出: | NO | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DFP | 封装等效代码: | FL28,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535V;38534K;883S | 座面最大高度: | 3.3 mm |
最大待机电流: | 0.004 A | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.15 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-8956806VYC | TEMIC | FIFO, 4KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, |
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5962-8956806XA | ETC | x9 Asynchronous FIFO |
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5962-8956806XX | IDT | FIFO, 4KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, CERAMIC, DIP-28 |
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5962-8956806YA | ETC | x9 Asynchronous FIFO |
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5962-8956806ZA | ETC | x9 Asynchronous FIFO |
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5962-8956806ZX | IDT | FIFO, 4KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
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