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5962-8858703VA

更新时间: 2024-01-11 08:42:55
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
13页 429K
描述
x1 SRAM

5962-8858703VA 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:LCC
包装说明:QCCN, LCC18,.3X.43针数:18
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.36
Is Samacsys:N最长访问时间:35 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-CQCC-N18
JESD-609代码:e0内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
功能数量:1端子数量:18
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:4KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装等效代码:LCC18,.3X.43
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.12 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

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