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5962-8858702VX

更新时间: 2024-01-15 07:44:48
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其他 - ETC 静态存储器
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13页 429K
描述
x1 SRAM

5962-8858702VX 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:QCCN,针数:18
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.8
Is Samacsys:N最长访问时间:35 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWNJESD-30 代码:R-CQCC-N18
JESD-609代码:e0长度:10.795 mm
内存密度:4096 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1功能数量:1
端子数量:18字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:4KX1封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.905 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
宽度:7.366 mmBase Number Matches:1

5962-8858702VX 数据手册

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