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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.3 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.61 | 风险等级： | 5.21 |
| 最长访问时间： | 25 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T24 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | UVPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP24,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 13.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流： | 0.12 A |
| 子类别： | EPROMs | 最大压摆率： | 0.12 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-87651013X | ETC | x8 PROM |
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| 5962-8765101JX | ETC | x8 PROM |
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| 5962-8765101KA | WEDC | OTP ROM, 1KX8, 45ns, CMOS, CDFP24, CERPACK-24 |
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| 5962-8765101KX | ETC | x8 PROM |
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| 5962-8765101LA | WEDC | OTP ROM, 1KX8, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24 |
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| 5962-8765101LX | ETC | x8 PROM |
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