5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| Factory Lead Time： | 6 weeks | 风险等级： | 1.27 |
| 系列： | AC | JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 |
| 长度： | 19.56 mm | 负载电容（CL）： | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型： | NAND GATE | 最大I（ol）： | 0.024 A |
| 功能数量： | 3 | 输入次数： | 3 |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP14,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 包装方法： | TUBE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3/5 V | 最大电源电流（ICC）： | 0.08 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 11 ns | 传播延迟（tpd）： | 11 ns |
| 认证状态： | Qualified | 施密特触发器： | NO |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | Gate | 最大供电电压 (Vsup)： | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 6.67 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 5962-8761001CX | ETC |
获取价格 |
Triple 3-input NAND Gate |
|
| 5962-8761001DA | TI |
获取价格 |
军用 3 通道、3 输入、2V 至 6V 与非门 | W | 14 | -55 to 12 |
|
| 5962-8761001DX | ETC |
获取价格 |
Triple 3-input NAND Gate |
|
| 5962-87610022A | TI |
获取价格 |
HC/UH SERIES, TRIPLE 3-INPUT NOR GATE, CDFP14 |
|
| 5962-87610022X | ETC |
获取价格 |
Triple 3-input NAND Gate |
|
| 5962-8761002EA | TI |
获取价格 |
HC/UH SERIES, TRIPLE 3-INPUT NOR GATE, CDFP14 |
|
| 5962-8761002EX | TI |
获取价格 |
NAND GATE |
|
| 5962-8761002FX | ETC |
获取价格 |
Triple 3-input NAND Gate |
|
| 5962-87611012A | TI |
获取价格 |
TRIPLE 3-INPUT POSITIVE-AND GATES |
|
| 5962-87611012X | ETC |
获取价格 |
Triple 3-input AND Gate |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
