5秒后页面跳转
5962-8687512XC PDF预览

5962-8687512XC

更新时间: 2024-01-30 22:28:26
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
31页 819K
描述
Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48

5962-8687512XC 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:48
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.45
最长访问时间:45 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG
JESD-30 代码:R-CDIP-T48JESD-609代码:e0
长度:60.96 mm内存密度:8192 bit
内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:48
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:1KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

5962-8687512XC 数据手册

 浏览型号5962-8687512XC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号5962-8687512XC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号5962-8687512XC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5962-8687512XC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号5962-8687512XC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号5962-8687512XC的Datasheet PDF文件第7页 

与5962-8687512XC相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
5962-8687512XX ETC x8 Dual-Port SRAM

获取价格

5962-8687512YA IDT LCC-48, Tube

获取价格

5962-8687512YX ETC x8 Dual-Port SRAM

获取价格

5962-8687512ZA WEDC IC 1K X 8 MULTI-PORT SRAM, 45 ns, CQCC, CERAMIC, LCC-52, Static RAM

获取价格

5962-8687512ZX ETC x8 Dual-Port SRAM

获取价格

5962-8687513UC TEMIC Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, FP-48

获取价格