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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP-20 | 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| Factory Lead Time： | 6 weeks | 风险等级： | 5.13 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | OUTPUT ENABLE ACTIVE HIGH FOR ONE FUNCTION |
| 控制类型： | ENABLE LOW/HIGH | 计数方向： | UNIDIRECTIONAL |
| 系列： | F/FAST | JESD-30 代码： | R-GDIP-T20 |
| 长度： | 24.2 mm | 负载电容（CL）： | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型： | BUS DRIVER | 最大I（ol）： | 0.064 A |
| 位数： | 4 | 功能数量： | 2 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 20 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 输出特性： | 3-STATE | 输出极性： | TRUE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP20,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 包装方法： | TUBE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 最大电源电流（ICC）： | 90 mA | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 7 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 7 ns | 认证状态： | Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | Bus Driver/Transceiver | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | TTL |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 6.92 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 5962-8687401SA | ETC |
获取价格 |
Dual 4-Bit Non-Inverting Buffer/Driver |
|
| 5962-86875 | RENESAS |
获取价格 |
1K x 8 Dual-Port RAM |
|
| 5962-8687501UA | WEDC |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS |
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| 5962-8687501UC | TEMIC |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, FP-48 |
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| 5962-8687501UX | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM |
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| 5962-8687501XA | TEMIC |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, CDIP48, |
|
| 5962-8687501XC | TEMIC |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, CDIP48 |
|
| 5962-8687501XX | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
|
| 5962-8687501YA | TEMIC |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, CQCC48 |
|
| 5962-8687501YX | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
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