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5962-0520801QXC

更新时间： 2024-09-24 06:30:23

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爱特美尔 - ATMEL		存储内存集成电路静态存储器
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描述
Rad Hard 512K x 8 5V Tolerant Very Low Power CMOS SRAM

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5962-0520801QXC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DFP	包装说明：	DFP, FL36,.5
针数：	36	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.46	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	17 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDFP-F36	JESD-609代码：	e4
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	36	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DFP
封装等效代码：	FL36,.5	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Qualified
筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class Q	座面最大高度：	3.05 mm
最大待机电流：	0.0015 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Gold (Au)	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	12.195 mm	Base Number Matches：	1

5962-0520801QXC 数据手册

Features

•

Operating Voltage: 3.3V, 5V tolerant

Access Time:

•

– 17 ns

– 15 ns

•

Very Low Power Consumption

– Active: 610 mW (Max) @ 17 ns⁽¹⁾, 540 mW (Max) @ 25 ns

– Standby: 3.3 mW (Typ)

•

Wide Temperature Range: -55 to +125°C

TTL-Compatible Inputs and Outputs

Asynchronous

Designed on 0.25 µm Radiation Hardened Process

No Single Event Latch Up below LET Threshold of 80 MeV/mg/cm²

Tested up to a Total Dose of 300 krads (Si) according to MIL-STD-883 Method 1019

500 Mils Wide FP36 Package

Rad Hard

512K x 8

5V Tolerant

Very Low Power

CMOS SRAM

ESD Better than 2000V

Quality Grades: ESCC with 9301/052, QML-Q or V with smd 5962-05208

Note:

1. 650 mW (Max) @ 15 ns

Description

The AT60142FT is a very low power CMOS static RAM organized as 512K x 8 bits.

Atmel brings the solution to applications where fast computing is as mandatory as low

consumption, such as aerospace electronics, portable instruments, or embarked

systems.

AT60142FT

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells, the AT60142FT combines an

extremely low standby supply current (Typical value = 1 mA) with a fast access time at

15 ns over the full military temperature range. The high stability of the 6T cell provides

excellent protection against soft errors due to noise.

The AT60142FT is processed according to the methods of the latest revision of the

MIL PRF 38535 or ESCC 9000.

It is produced on a radiation hardened 0.25 µm CMOS process.

Rev. 7726A–AERO–07/07

12 3 4 5 6 7...13

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