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5962-0151101TXC

更新时间： 2024-02-29 10:30:47

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艾法斯 - AEROFLEX		静态存储器
页数	文件大小	规格书
14页	138K
描述
UT9Q512K32 16Megabit SRAM MCM

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5962-0151101TXC 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	GQFF,	针数：	68
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	25 ns
其他特性：	8 AND 16 BIT OPERATION IS ALSO POSSIBLE	备用内存宽度：	24
JESD-30 代码：	S-CQFP-F68	JESD-609代码：	e0/e4
长度：	22.352 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	SRAM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	68
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX32
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	GQFF
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK, GUARD RING
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class T	座面最大高度：	5.2324 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	TIN LEAD/GOLD	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	22.352 mm	Base Number Matches：	1

5962-0151101TXC 数据手册

Standard Products

QCOTS^TMUT9Q512K32 16Megabit SRAM MCM

Data Sheet

June, 2003

FEATURES

INTRODUCTION

25ns maximum (5 volt supply) address access time

The QCOTS^TMUT9Q512K32 Quantified Commercial

Off-the-Shelf product is a high-performance 2M byte

(16Mbit) CMOS static RAM multi-chip module (MCM),

organized as four individual 524,288 x 8 bit SRAMs with a

common output enable. Memory expansion is provided by

an active LOW chip enable (En), an active LOW output

enable (G), and three-state drivers. This device has a power-

down feature that reduces power consumption by more than

90% when deselected.

Asynchronous operation for compatible with industry

standard 512K x 8 SRAMs

TTL compatible inputs and output levels , three-state

bidirectional data bus

Typical radiation performance

- Total dose: 50krads

- SEL Immune >80 MeV-cm²/mg

- LET_TH(0.25) = >10 MeV-cm²/mg

- Saturated Cross Section (cm²) per bit, 5.0E -9

- <1E-8 errors/bit-day, Adams 90% geosynchronous

heavy ion

Writing to each memory is accomplished by taking chip

enable (En) input LOW and write enable ( Wn) inputs LOW.

Data on the eight I/O pins (DQ₀through DQ₇) is then written

into the location specified on the address pins (A₀through

A₁₈). Reading from the device is accomplished by taking

Packaging options:

- 68-lead dual cavity ceramic quad flatpack (CQFP) -

(weight 7.37 grams)

chip enable (En) and output enable ( G) LOW while forcing

write enable (Wn) HIGH. Under these conditions, the

contents of the memory location specified by the address

pins will appear on the I/O pins.

Standard Microcircuit Drawing5962-01511

- QML T and Q compliant part

The input/output pins are placed in a high impedance state

when the device is deselected (En HIGH), the outputs are

disabled (G HIGH), or during a write operation (En LOW

and Wn LOW). Perform 8, 16, 24 or 32 bit accesses by

making Wn along with En a common input to any

combination of the discrete memory die.

A(18:0)

512K x 8

DQ(23:16)

DQ2(7:0)

DQ(15:8)

DQ1(7:0)

DQ(31:24)

DQ3(7:0)

DQ(7:0)

DQ0(7:0)

Figure 1. UT9Q512K32 SRAM Block Diagram

12 3 4 5 6 7...14

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5962-0151504QYX	ACTEL	Field Programmable Gate Array, 72000 Gates, CMOS, CQFP208, CERAMIC, QFP-208	获取价格
5962-0151507QYX	ACTEL	Field Programmable Gate Array, 72000 Gates, CMOS, CQFP208, CERAMIC, QFP-208	获取价格

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