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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 55 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
| 最大待机电流： | 0.08 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.38 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-01-269-2702 | RENESAS | IC,FLIP-FLOP,OCTAL,D TYPE,HCT-CMOS,DIP,20PIN,CERAMIC |
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| 5962-01-269-5940 | FAIRCHILD | Comparator, BIPolar, CDIP14, |
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| 5962-01-269-8322 | ADI | IC IC,OP-AMP,SINGLE,BIPOLAR,CAN,8PIN,METAL, Operational Amplifier |
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| 5962-01-270-7091 | TI | DELAY LINE,FIXED TAPS,6-LINE,1-TAP,LS-TTL,DIP,16PIN,PLASTIC |
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|
| 5962-01-272-2740 | FAIRCHILD | Binary Counter, Asynchronous, Up Direction, TTL, CDIP14, |
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| 5962-01-273-9834 | TI | IC,COUNTER,UP/DOWN,DECADE,LS-TTL,DIP,16PIN,CERAMIC |
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