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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 120 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-01-244-0214 | RENESAS | IC,PROM,512X4,TTL,DIP,16PIN,CERAMIC |
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| 5962-01-244-3894 | TI | OP-AMP |
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| 5962-01-244-4821 | IDT | Bus Driver, 2-Func, 4-Bit, Inverted Output, CMOS, CQCC20 |
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| 5962-01-244-9581 | VISHAY | Peripheral Driver, |
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| 5962-01-246-2931 | ZILOG | Parallel IO Port, CMOS, CQCC44, |
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| 5962-01-246-2934 | FAIRCHILD | J-K Flip-Flop, 2-Func, Positive Edge Triggered, TTL, CQCC20, |
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