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5510279A

更新时间: 2024-09-23 22:17:23
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日电电子 - NEC 放大器射频GSM
页数 文件大小 规格书
4页 394K
描述
3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS

5510279A 数据手册

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注文コーNo. N 6 1 2 9  
No. 6129  
62299  
N チャネM OS シリコン電界効果トランジスタ  
5HN02M  
超高速スイッチング用  
特長 ・低オン抵抗。  
・超高速スイッチング。  
・4V 駆動。  
絶対最大定AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
unit  
V
ドレイン・ソース電圧  
ゲート・ソース電圧  
ドレイン電流(DC)  
ドレイン電流(パルス)  
許容損失  
V
V
50  
DSS  
GSS  
±20  
V
I
D
0.2  
A
I
DP  
PW 10µs,dutycycle1%  
0.8  
0.15  
A
P
W
D
チャネル温度  
Tch  
150  
保存周囲温度  
Tstg  
55150  
電気的特ElectricalCharacteristics/ Ta=25℃  
m in  
50  
typ  
m ax unit  
ドレイン・ソース降伏電圧  
ドレイン・ソースしゃ断電流  
ゲート・ソースもれ電流  
ゲート・ソースしゃ断電圧  
順伝達アドミタンス  
V
I =1m A,V =0  
GS  
V
µA  
µA  
V
(BR)DSS  
D
I
DSS  
V
=50V,V =0  
GS  
10  
±10  
2.4  
DS  
GS  
DS  
DS  
I
GSS  
V
V
V
16V,V =0  
DS  
V
(off)  
=10V,I =100µA  
1
GS  
D
yfs  
=10V,I =100m A  
D
0.22  
0.31  
1.8  
2.3  
22  
S
ドレイン・ソース間オン抵抗  
R
R
(on)1 I =100m A,V =10V  
GS  
2.3  
3.2  
DS  
DS  
D
(on)2 I =50m A,V =4V  
GS  
D
入力容量  
出力容量  
帰還容量  
Ciss  
Coss  
Crss  
V
=10V,f=1M Hz  
=10V,f=1M Hz  
pF  
pF  
pF  
DS  
DS  
DS  
V
V
12  
=10V,f=1M Hz  
4.6  
次ページへ続く。  
スイッチングタイム測定回路図  
外形図ꢀ2158  
(unit:m m )  
V
=25V  
DD  
V
IN  
0.3  
10V  
0V  
0.15  
I
=100mA  
L
D
3
2
V
R =250Ω  
IN  
00.1  
PW=10µs  
D.C.1%  
D
V
OUT  
G
1
0.3  
0.6  
0.65 0.65  
2.0  
1:Gate  
2:Source  
3:Drain  
0.9  
5HN02M  
P. G  
50Ω  
S
SANYO :M CP3  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
62299SIIM TA-1849  
62797GI寿◎小野 BX 0698 No.6129-1/4  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
55102-F1101LF AMPHENOL

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55102-F11-01-R AMPHENOL

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Board Connector
55102-F11-03 AMPHENOL

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Board Connector, 6 Contact(s), 2 Row(s), Male, Right Angle, Solder Terminal,
55102-F1103LF AMPHENOL

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Board Connector, 6 Contact(s), 2 Row(s), Male, Right Angle, Solder Terminal, LEAD FREE
55102-F11-04-R AMPHENOL

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55102-F11-05 AMPHENOL

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Board Connector, 10 Contact(s), 2 Row(s), Male, Right Angle, Solder Terminal
55102-F11-05-R AMPHENOL

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55102-F1107LF AMPHENOL

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