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551-7610

更新时间： 2024-02-20 03:31:19

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描述
PHOTOTRANSISTOR \| NPN \| 900NM PEAK WAVELENGTH \| 15M \| BAR-1E

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551-7610 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
其他特性：	HIGH RELIABILITY	Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	35 V
配置：	SINGLE	最大暗电源：	200 nA
红外线范围：	NO	JESD-609代码：	e0
标称光电流：	0.015 mA	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：	1	最大通态电流：	0.015 A
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-55 °C
光电设备类型：	PHOTO TRANSISTOR	峰值波长：	900 nm
最大功率耗散：	0.165 W	最长响应时间：	0.0000065 s
形状：	ROUND	尺寸：	3 mm
子类别：	Photo Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

551-7610 数据手册

3mm

Silicon PNP

Photo Transistor

Dia lig h t

551-7610

Features

1.57

[.062]

6.35

[.250]

4.32

[.170]

• Silicon PNP type transistor

• Narrow acceptance angle

• Daylight filtered

3.00

[.118]

7.11

.280

DIA.

• Good linearity

• High reliability

5.08

[.200]

3.67

[.149]

DIA.

ABS OLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25°C)

6.41

[.253]

3.68

[.145]

TYP

CATHODE

Operating and Storage

Temperature Range (°C)

-55/+100

.50

[.020]

TYP

10.86

[.428]

Soldering Temperature

(≥2mm from case bottom)

2.54

[.100]

13.30

[.525]

MAX

Dip Soldering Time (T ) t≤5 s

260°C

300°C

35V

Ø 1.10

[.043]

TYP.

RECOMMENDED

PC BOARD HOLE PATTERN

Iron Soldering Time (T ) t≤3 s

Collector Emitter Voltage (V

)

2.54

[.100]

CEO

Dimensions in mm [inches]

Collector Current (I )

15 mA

75 mA

165 mW

450kW

Collector Peak Current (I ) t<10µs

Power Dissipation (P

) T =25°C

TOT

Thermal Resistence (R

)

THJA

OP ERATING CHARACTERIS TICS (T_A=25°C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Maximum Sensitivity Wavelength

Spectral Range, Photosensitivity

Radiant Sensitive Area

900

Smax

730 min, 1120 max

.045 typ

2θ /

mm²

Deg.

Distance, Chip Surface and Lens

Full Angle

2.4 typ, 2.8 max

24°

Capacitance

(V =0 V, f=1 MHz, E=0 lux)

Leakage Current (V =25 V, E=0 lx)

1 typ, 200 max

ce0

Photocurrent, Collector-

Emitter⁽¹⁾(Ee=0.5 mW/cm²,

=5 V, λ=950 nm)

.63 min, 1.5 typ

6.5 typ

Rise/Fall Time (I =1 mA,

PCE

=5 V, R =1kΩ)

t ,t

µs

R F

Collector Emitter

Saturation Voltage

(I =I

PCEmin ^{(1) • 0.3, λ=950 nm}

E =0.5 mW/cm2)

200

CEsat

Notes: (1) I

PCEmin

= minimum photocurrent

Solder Adherance per MIL-STD-202E, Method 208C

Dialight Corporation • 1913 Atlantic Avenue • Manasquan, NJ 08736 • TEL: (732) 223-9400 • FAX: (732) 223-8788 • www.dialight.com

4-11

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