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53RS881JS883B

更新时间: 2024-01-07 23:00:50
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5页 149K
描述
x8 PROM

53RS881JS883B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-GDIP-T24
JESD-609代码:e0内存密度:8192 bit
内存集成电路类型:OTP ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:24
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:1KX8
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
子类别:OTP ROMs最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

53RS881JS883B 数据手册

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