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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 120 ns | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-XDSO-N20 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度： | 1 | 端子数量： | 20 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 1MX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | SON |
| 封装等效代码： | SOLCC20/26,.35 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 512 |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.06 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 511000A-12M/BUAJC | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
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| 511000A-8/BVAJC | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
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| 511000A-8M/BUAJC | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
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| 511000A-9/BVAJC | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
|
| 511000A-9M/BUAJC | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
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| 51-1004818-A1A0 | YAMAICHI |
获取价格 |
IC Socket, PGA208, 208 Contact(s) |
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| 51-1004818-A1B0 | YAMAICHI |
获取价格 |
IC Socket, PGA208, 208 Contact(s) |
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| 51-1004818-A1E0 | YAMAICHI |
获取价格 |
IC Socket, PGA208, 208 Contact(s) |
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| 51-1004818-A1G0 | YAMAICHI |
获取价格 |
IC Socket, PGA208, 208 Contact(s) |
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| 51-1004818-A1I0 | YAMAICHI |
获取价格 |
IC Socket, PGA208, 208 Contact(s) |
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