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5082-2351

更新时间： 2024-02-05 21:10:39

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ASI		肖特基二极管
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描述
MEDIUM BARRIER SCHOTTKY DIODE

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5082-2351 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.35
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最大二极管电容：	0.9 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	频带：	VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
最大阻抗：	250 Ω	最小阻抗：	150 Ω
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	最大噪声指数：	7.5 dB
元件数量：	1	端子数量：	2
最大工作频率：	2 GHz	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-60 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Microwave Mixer Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
肖特基势垒类型：	MEDIUM BARRIER	Base Number Matches：	1

5082-2351 数据手册

5082-2351

MEDIUM BARRIER SCHOTTKY DIODE

PACKAGE STYLE 15

DESCRIPTION:

The ASI 5082-2351 is a Silicon Small

Signal Schottky Diode. Supplied in

Matched pairs for General Purpose

UHF/VHF Detection and Pulse

Applications. Color Band Indicates

Cathode.

MAXIMUM RATINGS

100 mA

30 V

I_F

V_R

100 mW @ T_A= 25 °C

-60 °C to +100 °C

-60 °C to +200 °C

750 °C/W

P_DISS

T_J

T_STG

θ_JC

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

V_BR

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_R= 10 µA

V_R= 15 V

I_F= 100 mA

V_R= 0 V

I_R

V_F

500

0.5

C_J

f = 1.0 MHz

0.9

Ω

∆NF

∆Z_IF

0.3

LO Power = 1.0 mW

IF = 30 MHz

NF = 1.5 dB

Zero DC Load Resistance

7.5

---

SWR

1.5:1

LO Power = 1.0 mW

IF = 10 KHz

NF = 1.5 dB

Zero DC Load Resistance

Z_IF

150

250

Ω

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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