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5082-2350

更新时间: 2024-02-03 06:19:21
品牌 Logo 应用领域
ASI 肖特基二极管微波混频二极管
页数 文件大小 规格书
1页 16K
描述
MEDIUM BARRIER SCHOTTKY DIODE

5082-2350 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.60
风险等级:5.35Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
频带:KU BAND最大阻抗:250 Ω
最小阻抗:150 ΩJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0最大噪声指数:7 dB
元件数量:1端子数量:2
最大工作频率:2 GHz最高工作温度:100 °C
最低工作温度:-60 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED脉冲输入最大功率:0.1 W
脉冲输入功率最小值:1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Microwave Mixer Diodes表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED肖特基势垒类型:MEDIUM BARRIER
Base Number Matches:1

5082-2350 数据手册

  
5082-2350  
MEDIUM BARRIER SCHOTTKY DIODE  
PACKAGE STYLE 15  
DESCRIPTION:  
The ASI 5082-2350 is a Silicon Small  
Signal Schottky Diode for General  
Purpose UHF/VHF Detection and Pulse  
Applications. Color Band Indicates  
Cathode.  
MAXIMUM RATINGS  
100 mA  
30 V  
IF  
VR  
100 mW @ TA = 25 °C  
-60 °C to +100 °C  
-60 °C to +200 °C  
750 °C/W  
PDISS  
TJ  
TSTG  
θJC  
NONE  
CHARACTERISTICS TC = 25 °C  
SYMBOL  
VBR  
TEST CONDITIONS  
MINIMUM  
TYPICAL MAXIMUM  
UNITS  
V
IR = 10 µA  
VR = 15 V  
IF = 100 mA  
VR = 0 V  
30  
IR  
VF  
500  
0.5  
nA  
V
CJ  
f = 1.0 MHz  
0.9  
pF  
dB  
---  
NF  
LO Power = 1.0 mW  
IF = 30 MHz  
NF = 1.5 dB  
Zero DC Load Resistance  
7.5  
SWR  
1.5:1  
LO Power = 1.0 mW  
IF = 10 KHz  
NF = 1.5 dB  
Zero DC Load Resistance  
ZIF  
150  
250  
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.  
7525 ETHEL AVENUE NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1202 FAX (818) 765-3004  
Specifications are subject to change without notice.  
REV. A  
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