5082-2279

更新时间： 2024-01-30 04:26:47

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ASI		微波混频二极管
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描述
SCHOTTKY BARRIER DUAL DIODE

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5082-2279 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	S-PXMW-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	配置：	RING, 4 ELEMENTS
最大二极管电容：	0.25 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	频带：	X BAND
JESD-30 代码：	S-PXMW-F4	元件数量：	4
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	MICROWAVE
最大功率耗散：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	UNSPECIFIED
肖特基势垒类型：	LOW BARRIER	Base Number Matches：	1

5082-2279 数据手册

5082-2279

SCHOTTKY BARRIER DUAL DIODE

DESCRIPTION:

The 5082-2279 is a Low Barrier

Schottky Barrier Dual Diode Designed

for Single Balanced Mixer, Phase

Detector and Modulator Applications

up to 12 GHz.

PACKAGE STYLE 825

FEATURES INCLUDE:

• Low Barrier

• Excellent Matching

• Small size

MAXIMUM RATINGS

100 mA

I_F

75 mW @ T_C= 25 °C

per Junction

P_DISS

-65 °C to +175 °C

T_J

T_STG

+235 °C for 10 seconds

T_SOLDER

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

V_F

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_F= 1 mA

I_R= 10 µA

260

300

340

V_F∆

V_BR

C_T

V_R= 0 V

Diagonal

Adjacent

f = 1.0 MHz

0.25

0.34

0.05

C_T∆

R_D

I_F= 5.0 mA

Ω

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without

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