5082-2209

更新时间： 2024-02-12 15:02:06

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ASI		微波混频二极管
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描述
SCHOTTKY MEDIUM BARRIER DIODE

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5082-2209 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	S-PXMW-F2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.35	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
频带：	X BAND	最大阻抗：	500 Ω
最小阻抗：	250 Ω	JESD-30 代码：	S-PXMW-F2
JESD-609代码：	e0	最大噪声指数：	6.5 dB
元件数量：	1	端子数量：	2
最大工作频率：	18 GHz	最小工作频率：	1 GHz
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	MICROWAVE	脉冲输入最大功率：	0.125 W
脉冲输入功率最小值：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Microwave Mixer Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子位置：	UNSPECIFIED
肖特基势垒类型：	MEDIUM BARRIER	Base Number Matches：	1

5082-2209 数据手册

5082-2209

SCHOTTKY MEDIUM BARRIER DIODE

PACKAGE STYLE

DESCRIPTION:

The ASI 5082-2209 is a Medium Barrier

Schottky Diode designed for General

Purpose Mixer Applications.

FEATURES INCLUDE:

• Small size

• Low noise fugure

MAXIMUM RATINGS:

125 mW @ T_A= 25 °C

-65 °C to +150 °C

1000 °C/W

P_DISS

T_J

T_STG

θ_JC

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

6.5

400

DC Load Resistance = 0 Ω

Z_IF

200

Ω

L.O. Power = 1.0 mW

I_F= 30 MHz

SRW

2.0:1

---

C_J

TSS

V_R= 0 V

0.18

-54

dBm

mV/µW

MΩ

20µA Bias

P_IN= -40 dBm

f = 10 GHz

6.6

Video Bandwith = 2.0 MHz

R_V

1400

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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