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5082-0810

更新时间： 2024-02-12 17:27:17

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ASI		二极管阶跃恢复二极管
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1页	19K
描述
SILICON STEP RECOVERY DIODE

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5082-0810 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-XEMW-N2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.84	应用：	FREQUENCY MULTIPLIER
最小击穿电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小截止频率：	140 MHz	最大二极管电容：	2.5 pF
最小二极管电容：	1.5 pF	标称二极管电容：	2.5 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	STEP RECOVERY DIODE
频带：	S BAND	JESD-30 代码：	O-XEMW-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	MICROWAVE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	60 V	子类别：	Varactors
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END

5082-0810 数据手册

5082-0810

SILICON STEP RECOVERY DIODE

DESCRIPTION:

The ASI 5082-0810 is a Silicon Step

Recovery Diode Designed as a

Frequency Multiplier with S-Band Output

Frequencies.

PACKAGE STYLE 51

FEATURES INCLUDE:

· Replacement for HP 5082-0810

· P_OUT= 4 W typ. @ 4 GHz (X 2)

· Hermetic Coaxial Package

MAXIMUM RATINGS

I_F

100 mA

7.0 W @ T_C= 25 ^OC

-65^OC to +150 ^OC

25 ^OC/W

P_DISS

T_J

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI30258

CHARACTERISTICS T_A= 25 ^OC

NONE

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM

UNITS

V_BR

I_R= 10 mA

C_j6

V_R= 6 V

f = 1.0 MHz

1.5

2.5

f_c

140

GHz

I_F= 10 mA

I_R= 6 mA

m S

Charge Level = 1000 pC, measured at 20% &

80% points

t_t

260

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1202 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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5082-1000	NJSEMI	FAST SWITCHING LOW CAPACITANCE HIGH CURRENT CAPABILITY	获取价格
5082-1001	NJSEMI	FAST SWITCHING LOW CAPACITANCE HIGH CURRENT CAPABILITY	获取价格
5082-1002	NJSEMI	FAST SWITCHING LOW CAPACITANCE HIGH CURRENT CAPABILITY	获取价格
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