5082-0112

更新时间： 2024-01-20 09:02:19

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ASI		二极管阶跃恢复二极管
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描述
GLASS PACKAGE STEP RECOVERY DIODE

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5082-0112 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-LALF-W2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.37	应用：	FREQUENCY MULTIPLIER
最小击穿电压：	35 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	1.55 pF
标称二极管电容：	1.5 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	STEP RECOVERY DIODE	频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY TO KU BAND
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出频率：	26 GHz	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.5833 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Varactors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

5082-0112 数据手册

5082-0112

GLASS PACKAGE STEP RECOVERY DIODE

DESCRIPTION:

The 5082-0112 is a Silicon Step

Recovery Diode Designed for

Synthesiser and Sampler Applications

Requiring a High Performance to Cost

Ratio.

PACKAGE STYLE 01A

FEATURES INCLUDE:

· Transition Time 90 pS Typical

· Hermetic Glass Package

MAXIMUM RATINGS

I_F

V_R

50 mA

35 V

P_DISS

T_J

290 mW @ T_C= 25 ^OC

-65 to +200 ^OC

0.6 ^OC /mW

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI30263

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

V_BR

I_R= 10 mA

C_J6

V_R= 10 V

f = 1.0 MHz

1.55

175

I_F= 10 mA

V_R= 7.0 V

I_R= 6.0 mA

I_F= 3.0 mA

T_t

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without

REV. A

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