5秒后页面跳转
4R3TI20Y-080 PDF预览

4R3TI20Y-080

更新时间: 2024-11-12 22:08:35
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 栅极触发装置可控硅整流器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 133K
描述
DIODE and TYRISTOR MODULE

4R3TI20Y-080 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.82Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON CATHODE WITH BUILT-IN SERIES DIODE
最大直流栅极触发电流:80 mAJESD-30 代码:R-XUFM-X10
元件数量:3端子数量:10
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
断态重复峰值电压:800 V重复峰值反向电压:800 V
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

4R3TI20Y-080 数据手册

 浏览型号4R3TI20Y-080的Datasheet PDF文件第2页浏览型号4R3TI20Y-080的Datasheet PDF文件第3页浏览型号4R3TI20Y-080的Datasheet PDF文件第4页浏览型号4R3TI20Y-080的Datasheet PDF文件第5页 

与4R3TI20Y-080相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
4R3TI30Y FUJI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM), 3 Element
4R3TI30Y060 FUJI

获取价格

Trigger Device
4R3TI30Y-080 FUJI

获取价格

DIODE and TYRISTOR MODULE
4R3TI60Y FUJI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM), 3 Element
4R3TI60Y-080 FUJI

获取价格

DIODE and TYRISTOR MODULE
4R4 PRODUCTWELL

获取价格

SHIELDED SMT POWER INDUCTORS
4R4F06E02C200 MOLEX

获取价格

Nano-Change (M8) Receptacle, M8 x 0.5 Mounting Threads, Straight Male, Male Length 0.50m (
4R4F30E02C200 MOLEX

获取价格

Nano-Change® (M8) Receptacle, M8 x 0.5 Mounti
4R4F46000 MOLEX

获取价格

Nano-Change (M8) Receptacle, M8 x 1.0 Mounting Threads, Straight Male, Male with Back Moun
4R4F46E02C200 MOLEX

获取价格

Nano-Change (M8) Receptacle, M8 x 1.0 Mounting Threads, Straight Male, Male 0.20m (7.87")