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4N65

更新时间： 2024-11-30 17:14:59

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友台半导体 - UMW		栅栅极
页数	文件大小	规格书
9页	804K
描述
漏源电压（Vdss）:650V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:4A(Tc);栅极-源极阈值电压:4V @ 250uA;漏源导通电阻:2.8Ω @ 2A,10V;最大功耗（Ta = 25°C）:33W(Tc);种类:N沟道

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4N65 数据手册

UMW

4N65

MOS 管

N-道沟功率

Features

VDS (V)=650V

ID=4.0A

2.7 (VGS = 10V)

≤

RDS(ON)

●最大额定值（Tc=25°C）

TO-220/220F/TO-252

●Absolute Maximum Ratings（Tc=25°C）

参数

PARAMETER

号符

SYMBOL

值定额

VALUE

位单

UNIT

漏-源电压

V_DS

V_GS

650

Drain-source Voltage

栅-源电压

gate-source Voltage

±30

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=25℃

I_D

4.0

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=100℃

I_D

2.5

最大脉冲电流

Drain Current －Pulsed

I_DM

①

TO-220:100

TO-220F:33

耗散功率

Power Dissipation

P_tot

最高结温

Junction Temperature

存储温度

Storage Temperature

单脉冲雪崩能量

150

°C

T_STG

-55-150

Single Pulse Avalanche Energy

②

E_AS

128

www.umw-ic.com

UTD Semiconductor Co.,Limited

12 3 4 5 6 7...9

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