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4N65

更新时间： 2024-11-21 14:55:51

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鲁光 - LGE		晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	909K
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场效应晶体管

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4N65 数据手册

4 N 6 5

4A,650V N-Channel Power Mosfet

FEATURES



R_DS(ON)=2.5Ω@ V_GS= 10V

Ultra low gate charge ( typical 15 nC )

Low reverse transfer Capacitance ( CRSS = typical 8.0 pF )

Fast switching capability

Avalanche energy specified

Improved dv/dt capability, high ruggedness

TO-220AB

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

650

Units

V_DSS

Drain-Source voltage

±30

V_GSS

I_D

Gate -Source voltage

4.0

Continuous Drain Current

I_DM

Pulsed Drain Current

E_AS

E_AR

Avalanche Energy

Single Pulsed

Repetitive

260

10.6

dv/dt

P_D

Peak Diode Recovery dv/dt

Power Dissipation

4.5

V/ns

R_θJA

Thermal resistance,Junction-to-Ambient

Junction Temperature

62.5

℃/W

T_J

+150

℃

Operating and Storage Temperature

T_OPR, Tstg

-55 to +150

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

12 3 4 5

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