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4N50F

更新时间： 2024-11-06 14:56:03

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鲁光 - LGE		晶体管场效应晶体管
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3页	727K
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场效应晶体管

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4N50F 数据手册

4 N 5 0 F

4A,500V N-Channel Power Mosfet

FEATURES



R_DS(ON)=2.0Ω@ V_GS= 10V

High Switching Speed

100% Avalanche Tested

ITO-220AB

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

500

Units

V_DSS

Drain-Source voltage

±30

V_GSS

Gate -Source voltage

I_D

Continuous Drain Current

I_DM

Pulsed Drain Current

Avalanche Energy

E_AS

E_AR

Single Pulsed

Repetitive

216

8.5

dv/dt

P_D

Peak Diode Recovery dv/dt

Power Dissipation

4.5

V/ns

R_θJA

θJA

Thermal resistance,Junction-to-Ambient

Junction to Ambient

62.5

℃/W

θJC

Junction to Case

4.5

℃/W

℃

T_J

Junction Temperature

+150

T_OPR, Tstg

Operating and Storage Temperature

-55 to +150

℃

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

12 3

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