4N38M

更新时间： 2024-02-12 05:56:28

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体光电晶体管光电晶体管高压
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描述
High Voltage Phototransistor Optocouplers

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4N38M 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.80.00	风险等级：	5.61
其他特性：	UL RECOGNIZED, VDE APPROVED	Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	80 V
配置：	SINGLE	当前传输比率-最小值：	20%
标称电流传输比：	20%	最大暗电源：	50 nA
最大正向电流：	0.06 A	最大正向电压：	1.5 V
最大绝缘电压：	5300 V	安装特点：	SURFACE MOUNT
元件数量：	1	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-55 °C	光电设备类型：	TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
最大功率耗散：	0.16 W	子类别：	Optocoupler - Transistor Outputs
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

4N38M 数据手册

September 2007

H11D1M, H11D2M, H11D3M, 4N38M, MOC8204M

High Voltage Phototransistor Optocouplers

Features

General Description

■ High voltage:

The H11DXM, 4N38M and MOC8204M are photo-

transistor-type optically coupled optoisolators. A gallium

arsenide infrared emitting diode is coupled with a high

voltage NPN silicon phototransistor. The device is sup-

plied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.

– MOC8204M, BV

= 400V

CER

– H11D1M, H11D2M, BV

= 300V

CER

– H11D3M, BV

= 200V

CER

■ High isolation voltage:

– 7500 V peak, 1 second

■ Underwriters Laboratory (UL) recognized

File # E90700, Volume 2

Applications

■ Power supply regulators

■ Digital logic inputs

■ Microprocessor inputs

■ Appliance sensor systems

■ Industrial controls

Schematic

ANODE

CATHODE

N/C

6 BASE

COLLECTOR

EMITTER

H11DXM, 4N38M, MOC8204M Rev. 1.0.2

www.fairchildsemi.com

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