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4N29SM

更新时间： 2024-02-18 15:13:26

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		输出元件光电
页数	文件大小	规格书
12页	337K
描述
6 引脚 DIP 通用光电达林顿光耦合器

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技术参数
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4N29SM 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SURFACE MOUNT PACKAGE-6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.40.80.00
Factory Lead Time：	2 weeks	风险等级：	0.9
其他特性：	UL APPROVED	Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	30 V
配置：	SINGLE	当前传输比率-最小值：	100%
标称电流传输比：	100%	最大暗电源：	100 nA
最大正向电流：	0.08 A	最大正向电压：	1.5 V
最大绝缘电压：	7500 V	JESD-609代码：	e3
安装特点：	SURFACE MOUNT	元件数量：	1
最大通态电流：	0.1 A	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-40 °C	光电设备类型：	DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER
最大功率耗散：	0.15 W	最长响应时间：	0.00004 s
子类别：	Optocoupler - Transistor Outputs	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

4N29SM 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

6-Pin DIP General Purpose

Photodarlington Optocoupler

PDIP6

CASE 646BX

4N29M, 4N30M, 4N32M,

4N33M, H11B1M, TIL113M

PDIP6

S SUFFIX

Description

CASE 646BY

The 4N29M, 4N30M, 4N32M, 4N33M, H11B1M, and TIL113M

have a gallium arsenide infrared emitter optically coupled to a silicon

planar photodarlington.

PDIP6

T SUFFIX

Features

CASE 646BZ

• High Sensitivity to Low Input Drive Current

• Meets or Exceeds All JEDEC Registered Specifications

• Safety and Regulatory Approvals:

♦ UL1577, 4,170 VAC

for 1 Minute

MARKING DIAGRAM

RMS

♦ DIN−EN/IEC60747−5−5, 850 V Peak Working Insulation Voltage

Applications

XXXXX

VXYYQ

• Low Power Logic Circuits

• Telecommunications Equipment

• Portable Electronics

= Logo

• Solid State Relays

• Interfacing Coupling Systems of Different Potentials and Impedances

XXXXX = Specific Device Code

= DIN EN/IEC60747−5−5 Option (only

appears on component ordered with

this option)

= One−Digit Year Code

= Digit Work Week

= Assembly Package Code

SCHEMATIC

ANODE

CATHODE

N/C

BASE

COLLECTOR

EMITTER

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 8 of

this data sheet.

Publication Order Number:

April, 2022 − Rev. 2

H11B1M/D

12 3 4 5 6 7...12

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