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| 生命周期： | Obsolete | 针数： | 10 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.38 |
| Is Samacsys： | N | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 28 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 4AK21 | HITACHI |
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Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
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| 4AK22 | HITACHI |
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Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
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| 4AK23 | HITACHI |
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Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
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| 4AK25 | HITACHI |
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Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
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| 4AK26 | HITACHI |
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Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
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| 4AK27 | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 4ALS520 | TI |
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8-BIT IDENTITY COMPARATORS |
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| 4AM01MH5 | SANYO |
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High-side Switch |
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| 4AM02MH5 | SANYO |
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High-side Switch |
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| 4AM03MH5 | SANYO |
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4AM03MH5 |
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