4AK19

更新时间： 2024-09-23 22:15:43

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		晶体开关晶体管脉冲电源开关
页数	文件大小	规格书
8页	55K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

4AK19 数据手册

4AK19

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-727 (Z)

1st. Edition

February 1999

Features

•

Low on-resistance

N Channel: R_DS(on)≤ 0.5 Ω, V_GS= 10 V, I_D= 2.5 A

R_DS(on)≤ 0.6 Ω, V_GS= 4 V, I_D= 2.5 A

4 V gate drive devices.

High density mounting

•

Outline

SP-10

2 G

1 S

1, 10.

Source

S 10

2, 4, 6, 8. Gate

3, 5, 7, 9. Drain

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
4AK20	HITACHI	获取价格	Silicon N-Channel Power MOS FET Array
4AK21	HITACHI	获取价格	Silicon N-Channel Power MOS FET Array
4AK22	HITACHI	获取价格	Silicon N-Channel Power MOS FET Array
4AK23	HITACHI	获取价格	Silicon N-Channel Power MOS FET Array
4AK25	HITACHI	获取价格	Silicon N-Channel Power MOS FET Array
4AK26	HITACHI	获取价格	Silicon N-Channel Power MOS FET Array
4AK27	HITACHI	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
4ALS520	TI	获取价格	8-BIT IDENTITY COMPARATORS
4AM01MH5	SANYO	获取价格	High-side Switch
4AM02MH5	SANYO	获取价格	High-side Switch