4AK17

更新时间： 2024-01-18 21:14:49

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日立 - HITACHI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
9页	52K
描述
Silicon N-Channel Power MOS FET Array

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4AK17 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T10
针数：	10	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.37	Is Samacsys：	N
配置：	2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.065 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T10
元件数量：	4	端子数量：	10
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

4AK17

Silicon N-Channel Power MOS FET Array

Application

High speed power switching

Features

•

Low on-resistance

R_DS(on)≤ 0.045 , V_GS= 10 V, I_D= 10 A

R_DS(on)≤ 0.065 , V_GS= 4 V, I_D= 10 A

Capable of 4 V gate drive

•

Low drive current

High speed switching

High density mounting

Suitable for motor driver, solenoid driver and lamp driver

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