4AJ11

更新时间： 2024-02-25 21:44:12

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日立 - HITACHI		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	38K
描述
Silicon P-Channel Power MOS FET Array

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4AJ11 技术参数

4AJ11

Silicon P-Channel Power MOS FET Array

Application

High speed power switching

Features

•

Low on-resistance

R_DS(on)0.13 , V_GS= –10 V, I_D= –4 A

R_DS(on)0.17 , V_GS= –4 V, I _D= –4 A

Capable of 4 V gate drive

•

Low drive current

High speed switching

High density mounting

Suitable for motor driver and solenoid driver and lamp driver

12 3 4 5 6

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