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43CTQ80

更新时间： 2024-09-15 20:57:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
6页 110K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40A, 800V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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43CTQ80 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220AB, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.75
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：850 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：40 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：800 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

43CTQ80 数据手册

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43CTQ...  
Vishay High Power Products  
Schottky Rectifier, 2 x 20 A  
FEATURES  
• 175 °C TJ operation  
• Center tap configuration  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
Base  
common  
cathode  
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
Anode  
Anode  
2
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for  
enhanced mechanical strength and moisture resistance  
Common  
cathode  
1
3
TO-220AB  
• Designed and qualified for industrial level  
DESCRIPTION  
This center tap Schottky rectifier series has been optimized  
for low reverse leakage at high temperature. The proprietary  
barrier technology allows for reliable operation up to 175 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
2 x 20 A  
80/100 V  
VR  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
40  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
80/100  
850  
tp = 5 µs sine  
A
VF  
20 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.67  
V
TJ  
- 55 to 175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
43CTQ080  
43CTQ100  
100  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
80  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average  
forward current  
See fig. 5  
per leg  
20  
40  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 135 °C, rectangular waveform  
A
per device  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current per leg  
See fig. 7  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
5 µs sine or 3 µs rect. pulse  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
850  
IFSM  
A
275  
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 0.50 A, L = 60 mH  
7.50  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 µs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
0.50  
Document Number: 93917  
Revision: 21-Aug-08  
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与43CTQ80相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
43CTQ80PBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-220AB, LEAD
43CTQS VISHAY

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 		Low forward voltage drop
43CTT100 VISHAY

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 		High Performance Schottky Generation 5.0, 40 A
43CTT100_08 VISHAY

获取价格

 		High Performance Schottky Generation 5.0, 2 x 20 A
43CTT100_12 VISHAY

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 		High Performance Schottky Generation 5.0, 2 x 20 A
43D-05D05NNL YUANDEAN

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