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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 43CTQ100GSTRR
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43CTQ100GSTRR

更新时间： 2024-10-03 12:57:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
7页 152K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, D2PAK-3

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43CTQ100GSTRR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：PLASTIC, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.13其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.67 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：850 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

43CTQ100GSTRR 数据手册

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43CTQ100PbF  
Vishay High Power Products  
Schottky Rectifier, 2 x 20 A  
FEATURES  
• 175 °C TJ operation  
Base  
common  
cathode  
2
• Center tap configuration  
• Low forward voltage drop  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
• High frequency operation  
Anode  
Anode  
2
Common  
cathode  
1
3
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
TO-220AB  
• Lead (Pb)-free (“PbF” suffix)  
• Designed and qualified for industrial level  
DESCRIPTION  
PRODUCT SUMMARY  
This center tap Schottky rectifier series has been optimized  
for low reverse leakage at high temperature. The proprietary  
barrier technology allows for reliable operation up to 175 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
IF(AV)  
2 x 20 A  
100 V  
VR  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
40  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
100  
tp = 5 µs sine  
850  
A
VF  
20 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.67  
V
TJ  
- 55 to 175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
43CTQ100PbF  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
VR  
100  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average  
forward current  
See fig. 5  
per leg  
20  
40  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 135 °C, rectangular waveform  
per device  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current per leg  
See fig. 7  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
5 µs sine or 3 µs rect. pulse  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
850  
IFSM  
275  
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 0.50 A, L = 60 mH  
7.50  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 µs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
0.50  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 94223  
Revision: 02-Mar-09  
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
www.vishay.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
43CTQ100GSTRRP VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 2 x 20 A
43CTQ100GSTRRPBF VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 2 x 20 A
43CTQ100GSTRRPBF INFINEON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, D2PAK-3
43CTQ100PBF VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 2 x 20 A
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