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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-65 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 标称电路换相断开时间： | 100 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 100 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 200 mA | JEDEC-95代码： | TO-208AC |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 63 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 6000 µA | 断态重复峰值电压： | 1200 V |
| 重复峰值反向电压： | 1200 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTE5569 | NTE |
功能相似  |
Silicon Controlled Rectifier (SCR) for Phase Control Applications |
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| 50RIA80 | VISHAY |
功能相似 |
Medium Power Thyristors (Stud Version), 50 A |
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| 40C120 | MICROSEMI |
功能相似 |
Silicon Controlled Rectifier |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 40C20B | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier |
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| 40C20BE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
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| 40C250A | ETC |
获取价格 |
Industrial Control IC |
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| 40C250G | ETC |
获取价格 |
Industrial Control IC |
|
| 40C40B | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier |
|
| 40C40BE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
|
| 40C60B | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier |
|
| 40C60BE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
|
| 40C80B | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier |
|
| 40C80BE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
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