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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.83 |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 0.1 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-65 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 62.8 A |
| 重复峰值反向电压： | 100 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTE5567 | NTE |
功能相似  |
Silicon Controlled Rectifier (SCR) for Phase Control Applications |
|
| 50RIA20 | VISHAY |
功能相似 |
Medium Power Thyristors (Stud Version), 50 A |
|
| 50RIA10 | VISHAY |
功能相似 |
Medium Power Thyristors (Stud Version), 50 A |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 40C120 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier |
|
| 40C120B | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier |
|
| 40C20B | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier |
|
| 40C20BE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
|
| 40C250A | ETC |
获取价格 |
Industrial Control IC |
|
| 40C250G | ETC |
获取价格 |
Industrial Control IC |
|
| 40C40B | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier |
|
| 40C40BE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
|
| 40C60B | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier |
|
| 40C60BE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
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