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3VD212800YL

更新时间： 2024-01-10 05:10:04
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士兰微 - SILAN 高压
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描述
HIGH VOLTAGE MOSFET CHIPS

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3VD212800YL 数据手册

  
3VD212800YL  
3VD212800YL HIGH VOLTAGE MOSFET CHIPS  
DESCRIPTION  
Ø
3VD212800YL is a High voltage N•Channel  
enhancement mode power MOS•FET chip fabricated  
in advanced silicon epitaxial planar technology.  
Advanced termination scheme to provide enhanced  
voltage•blocking capability.  
3
1
Ø
Ø
Ø
Avalanche Energy Specified  
Source•to•Drain Diode Recovery Time Comparable to  
a Discrete Fast Recovery Diode  
Ø
Ø
The chips may packaged in TO•220 type and the  
typical equivalent product is 1N80.  
The packaged product is widely used in AC•DC  
power suppliers, DC•DC converters and H•bridge  
PWM motor drivers.  
PAD3:SOURCE  
PAD1:GATE  
CHIP TOPOGRAPHY  
Ø
Ø
Ø
Die size: 2.12mm*2.02mm.  
Chip Thickness: 300±m2m0.  
Top metal : Al, Backside Metal : Ag.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb=25°C)  
Parameter  
Drain•Source Voltage  
Symbol  
VDS  
VGS  
ID  
Ratings  
Unit  
V
800  
±30  
Gate•Source Voltage  
V
Drain Current  
1.0  
A
Power Dissipation (TO•220 Package)  
Operation Junction Temperature  
Storage Temperature  
PD  
45  
W
°C  
°C  
•55̚+150  
•55̚+150  
TJ  
Tstg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25°C)  
Parameter  
Drain •Source Breakdown Voltage  
Gate Threshold Voltage  
Drain•Source Leakage Current  
Static Drain• Source On State  
Resistance  
Symbol  
BVDSS  
VTH  
Test conditions  
Min  
800  
3
Typ  
Max  
•
Unit  
VGS=0V, ID=250µA  
VGS= VDS, ID=250µA  
VDS=800V, VGS=0V  
•
•
•
V
V
4.5  
1
IDSS  
•
µA  
RDS(on)  
IGSS  
VGS=10V, ID=0.5A  
VGS=±20V, VDS=0V  
IS=1A, VGS=0V  
•
•
•
•
•
•
16  
±10  
1.6  
W
µA  
V
Gate•Source Leakage Current  
Source•Drain Diode Forward on  
Voltage  
VFSD  
HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO.,LTD  
Http: www.silan.com.cn  
REV:1.0  
2008.05.30  
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