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3SM4

更新时间: 2024-09-23 12:34:19
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NJSEMI 整流二极管测试局域网
页数 文件大小 规格书
2页 74K
描述
Axial Leaded Hermetically Sealed Standard Recovery Rectifier Diode

3SM4 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.7Is Samacsys:N
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT最小击穿电压:400 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流:100 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最大输出电流:5 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大重复峰值反向电压:400 V最大反向电流:1 µA
最大反向恢复时间:2 µs反向测试电压:400 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

3SM4 数据手册

 浏览型号3SM4的Datasheet PDF文件第2页 

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