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3N60

更新时间： 2024-09-26 14:53:15

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鲁光 - LGE		晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	977K
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场效应晶体管

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3N60 技术参数

极性：	N-Channel	Pd(W)：
V(BR)DS_min(V)：	600	ID_max(A)：	3
Rds_max(Ω）：	3.6	@VGS(V)：	10
VTH(GS)：	4	PACKAGE：	TO-220AB
class：	Transistors

3N60 数据手册

3 N 6 0

3A,600V N-Channel Power Mosfet

FEATURES



V_DS= 600V , I_D= 3A

R_DS(ON)=3.6Ω@ V_GS= 10V

Ultra low gate charge ( typical 10 nC )

Fast switching capability

Avalanche energy specified

Improved dv/dt capability, high ruggedness

TO-220AB

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

600

Units

V_DSS

Drain-Source voltage

±30

V_GSS

I_D

Gate -Source voltage

3.0

Continuous Drain Current

I_DM

Pulsed Drain Current

E_AS

E_AR

Avalanche Energy

Single Pulsed

Repetitive

200

7.5

dv/dt

P_D

Peak Diode Recovery dv/dt

Power Dissipation

4.5

V/ns

R_θJA

Thermal resistance,Junction-to-Ambient

Junction Temperature

℃/W

T_J

+150

℃

Operating and Storage Temperature

T_OPR, Tstg

-55 to +150

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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