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3DG2482S

更新时间： 2024-02-09 17:49:50

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3DG2482S硅NPN型功率开关晶体管

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3DG2482S 数据手册

晶分立器件

3DG2482S

高放大境定双极型晶体管

1 概述与特点

3DG2482S 硅 NPN 型功率开关晶体管主要用于电子节能灯电子镇流器及手机充电器的功

率开关电路其特点如下

击穿电压高反向漏电流小

开关速度快

饱和压降低电流特性好

高温性能好

封装形式 TO-92

5. 2max

4. 2max

2 电特性

2.1 极限值

除非另有规定 T_amb= 25

参数名称

集电极-基极电压

集电极-发射极电压

发射极-基极电压

集电极电流

符号

V_CB0

V_CE0

V_EB0

I_C

额定值

600

单位

400

0.25

0.8

0. 45max

1. 27

耗散功率 Ta=25

结温

P_tot

0. 45max

1. 27

T_j

150

C B

贮存温度

T_stg

-55 150

2.2 电参数

除非另有规定 T_amb= 25

规范值

参数名称

符号

测试条件

单位

最小典型最大

集电极-基极截止电流

发射极-基极截止电流

I_CB0

I_EB0

V_CB=600V, I_E=0

V_EB=9V, I_C=0

100

共发射极正向电流传输比

的静态值

h_FE

V_CE=20V, I_C=20mA

小电流下 h_FE1与大电流下

h_FE1/

h_FE2

h_FE1:V_CE=20V, I_C=1mA

h_FE2:V_CE=20V, I_C=20mA

0.75

0.9

h_FE2比值

集电极-发射极饱和电压

基极-发射极饱和电压

下降时间

V_{CE sat}I_C=100mA, I_B=20mA

0.6

1.2

0.5

2.5

V_{BE sat}I_C=100mA, I_B=20mA

t_f

t_s

V_CC=60V, I_C=0.2A

I_B1=-I_B2=0.1A

贮存时间

V_CE=20V, I_C=20mA

f=1MHz

特征频率

f_T

MHz

a: 脉冲测试 tp 300 s,

无锡华晶微电子股份有限公司

地址江苏省无锡市梁溪路 14 号电话 0510 5807228-2268 2299

传真 0510 5800360

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