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3DG1083T

更新时间： 2024-04-09 19:01:21

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3DG1083T 数据手册

硅 NPN 低频放大双极型晶体管芯片

○

M3DG1083T

产品概述

该芯片在采用适当的封装工艺后，可形成多种封装形式的功率晶体管，主要用于电子充电器、电子节能

灯的功率开关电路。

芯片数据

芯片示意图

芯片尺寸(mm×mm)

芯片厚度(µm)

0.83×0.83

230

基

区

111×111

130×130

铝 / 4.5

金或银

φ150

键合区尺寸

(µm×µm )

发射区

正面电极金属/厚度(µm)

背面电极金属

硅片直径(mm)

装片要求

共晶

极限值（除非另有规定，T_a= 25℃）

参数名称

符号

额定值

600

400

单位

推荐的封装形式

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

集电极-基极电压

集电极-发射极电压

发射极-基极电压

集电极电流

0.25

0.8

TO-92

Ta=25℃

P_tot

耗散功率

T_j

150

结温

℃

T_stg

贮存温度

-55～150

电特性（除非另有规定，T_a= 25℃）

规范值

参数名称

符号

测试条件

V_CB=600V, I_E=0

V_CE=400V, I_B=0

V_EB=9V, I_C=0

I_C=0.1mA

I_C=1mA

I_E=0.1mA

V_CE=5V, I_C=50mA

h_FE1:V_CE=5V, I_C=1mA

h_FE2:V_CE=5V, I_C=50mA

I_C=0.1A, I_B=20mA

单位

最小

典型

最大

I_CBO

I_CEO

I_EBO

集电极-基极截止电流

集电极-发射极截止电流

发射极-基极截止电流

集电极-基极电压

集电极-发射极电压

发射极-基极电压

μA

V_CBO

V_CEO

V_EBO

600

400

h_FE

共发射极正向电流传输比的静态值

h_FE1/h_FE2

0.75

0.9

小电流下 h_FE1与大电流下 h_FE2比值

V_{CE sat}

0.3

1.0

0.6

1.5

集电极-发射极饱和电压

基极-发射极饱和电压

V_{BE sat}

I_C=0.1A, I_B=20mA

无锡华润华晶微电子有限公司

2015V01

1 / 3

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