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3DG1065

更新时间： 2024-03-03 10:11:11

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华润微 - CRMICRO		/
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3DG1065 数据手册

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管芯片

○

3DG1065

产品概述

该芯片在采用适当的封装工艺以后，可以形成多种封装形式的硅 NPN功率晶体管，主要用于电

子镇流器、电子节能灯的功率开关电路。

芯片数据

芯片示意图

芯片尺寸(mm×mm)

芯片厚度(µm)

0.65×0.65

230

基区

发射区

84×84

键合区面积

(µm²)

83×83

正面电极金属/厚度

铝 / 4.5µm

合金/银

背面电极金属

硅片直径(mm)

装片要求

φ125/φ150

共晶

极限值（除非另有规定，T_a= 25℃）

参数名称

符号

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

额定值

600

单位

集电极-基极电压

集电极-发射极电压

发射极-基极电压

集电极直流电流

集电极脉冲电流（tp＜5ms）

基极直流电流

400

0.17

0.34

0.08

0.17

0.6

I_CM

I_B

I_BM

P_tot

基极脉冲电流（tp＜5ms）

耗散功率

℃

T_j

150

结温

T_stg

贮存温度

-55～150

无锡华润华晶微电子有限公司

2015V01

1 / 3

12 3

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