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3DD3853Y

更新时间： 2024-02-09 01:53:10

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2页	164K
描述
Transistor

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3DD3853Y 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

3DD3853Y 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors

TO-220F

3DD3853 TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

High Current Gain

Saturation Voltage Low

Power dissipation

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTE

_CW: 2 W (Tamb=25 ℃)

25 W (Tcase=25℃)

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Value

Units

Collector Current -Continuous

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

150

-55-150

℃

T_stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C=1mA, I_E=0

V_(BR)CEOI_C=10mA, I_B=0

V_(BR)EBOI_E=100µA, I_C=0

I_CBO

I_EBO

V_CB=60V, I_E=0

100

300

1.0

µA

Emitter cut-off current

V_EB=7V, I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE(sat)

f_T

V_CE=5V, I_C=500mA

I_C=3A, I_B=300mA

V_CE=5V, I_C=500mA

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

MHz

*Pulse test: t_p≤300µS, δ≤0.02.

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

150-300

Range

60-120

100-200

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