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3DD3852P

更新时间： 2024-09-23 15:25:27

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
2页	180K
描述
Transistor

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3DD3852P 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

3DD3852P 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors

TO-220F

3DD3852 TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

High Current Gain

Saturation Voltage Low

Power dissipation

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTE

_CW: 2 W (Tamb=25 ℃)

25 W (Tcase=25℃)

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Junction Temperature

T_J

150

-55-150

℃

T_stg

Storage Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃

unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C=1mA, I_E=0

V_(BR)CEOI_C=10mA, I_B=0

V_(BR)EBOI_E=100μA, I_C=0

I_CBO

I_EBO

V_CB=80V, I_E=0

600

μA

Emitter cut-off current

V_EB=6V, I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE(sat)

f_T

V_CE=4V, I_C=500mA

I_C=3A, I_B=300mA

V_CE=12V, I_C=200mA

100

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

MHz

*Pulse test: t_p≤300μS, δ≤0.02.

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

Range

100-200

160-320

300-600

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